化合物半导体微纳结构工艺加工（清采比选20240170号）采购公告

招标-其他 2024-05-11 纠错

项目编号：清采比选20240170号

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采购项目名称	****	采购项目编号	清采比选********号
公告开始时间	**-- ::	公告截止时间	**-- ::
采购单位	****	付款方式	合同签订后%，到货后%，验收合格后**%
对外联系人	本项目不接受咨询	联系电话	本项目不接受咨询
签约时间要求	成交后*个工作日内 (如不按时签订合同，采购单位有权取消或变更采购结果)	交货时间要求	签订合同后**个工作日内
最高限价	*****.
交货地址	**市**

物资名称	采购数量	计量单位
****	*	件

技术参数及配置要求	、在直径英寸外延片整片上进行周期性微纳结构加工，单个微纳结构阵列规模*×，周期* μ。每个周期结构中包含×个微结构，微结构周期.* μ，边长.** μ，深度。在每个阵列上进行台面刻蚀，台面边长** μ，刻蚀深度.*~.* μ* 、具备光刻板设计和加工能力，根据用户需求进行板图设计与加工、半导体材料刻蚀深度偏差小于，均匀性小于% 、阵列方块边长控制精度±.* μ* 、制备厚度 ***钝化膜，折射率在.*~.**之间，厚度均匀性小于% 、欧姆金属* // ( // )，次性成膜，厚度均匀性小于% 、反射层金属溅射 /* ( /* )，次性成膜，厚度均匀性小于% 、外圈环状电极&;* μ* （*~* μ）,外圈电极需保证边缘完整无缺陷，与周期性微纳结构电极共平面，且需与下接触层欧姆金属实现互联、单个微结构阵列器件整体区域比橙色区域边各多出~* μ*
质保期	**个月

技术参数及配置要求

*、在直径*英寸外延片整片上进行周期性微纳结构加工，单个微纳结构阵列规模***×***，周期** μ*。每个周期结构中包含*×*个微结构，微结构周期*.* μ*，边长*.** μ*，深度*** **。在每个阵列上进行台面刻蚀，台面边长** μ*，刻蚀深度*.**~*.* μ* *、具备光刻板设计和加工能力，根据用户需求进行板图设计与加工 *、半导体材料刻蚀深度偏差小于** **，均匀性小于*% *、阵列方块边长控制精度±*.** μ* *、制备厚度*** ** ****钝化膜，折射率在*.**~*.***之间，厚度均匀性小于*% *、欧姆金属**** /**/** ( ***/**/*** **)，*次性成膜，厚度均匀性小于*% *、反射层金属溅射 **/** (** **/*** **)，*次性成膜，厚度均匀性小于*% *、外圈环状电极&**;** μ* （***~*** μ*）,外圈电极需保证边缘完整无缺陷，与周期性微纳结构电极共平面，且需与下接触层欧姆金属实现互联 *、单个微结构阵列器件整体区域比橙色区域*边各多出***~*** μ*

质保期

**个月

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